华为公司申请半导体结构及其制备方法、电子设备专利，进一步提高半导体结构的电子迁移率

金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电子设备“，公开号CN117832268A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于进一步提高半导体结构的电子迁移率。半导体结构的制备方法包括：形成位于半导体衬底上的栅极和栅极侧墙，栅极侧墙设置在栅极的侧面，以及对栅极相对两侧的半导体衬底进行掺杂和第一非晶化离子注入，形成第一区域和第二区域；对第一区域和第二区域中至少一个进行第二非晶化离子注入；第二非晶化离子注入的深度大于第一非晶化离子注入的深度；形成应力层，应力层至少覆盖第一区域、第二区域、栅极以及栅极侧墙；进行退火，以使得第一区域形成源极，第二区域形成漏极，且源极和漏极中至少一个内形成位错。

本文源自金融界